近日，西安电子科技大学集成电路学部郝跃院士团队常晶晶教授在自供电神经形态计算领域取得新进展，研究成果以“Self-Powered Halide Perovskite Optoelectronic Synaptic Memristors for Reconfigurable Logic and Reservoir Computing”为题发表于《Nano Letters》上，论文第一单位为西安电子科技大学，集成电路学部常晶晶教授、林珍华教授为论文通讯作者，博士研究生崔东升为第一作者。

随着人工智能与物联网技术的快速发展，传统计算架构面临能效瓶颈与存储墙问题。常晶晶教授课题组设计了一种p-i-n结构的钙钛矿光电忆阻器，成功在单一器件中实现了光学感知、可重构逻辑运算与储备池计算等多种功能的集成。在520 nm光照下可产生约0.8 V的光生电压，实现自供电的光突触行为。该器件在光电压与外部偏压的共同调制下，实现了NOT、XOR、NAND、IMPLY四种可重构逻辑门操作，显著降低了逻辑电路的器件数量与功耗。进一步地，研究团队利用该忆阻器在光脉冲调控下形成的16个电导状态，构建了储层计算系统，用于手写数字识别任务，在1位、2位和4位识别中分别达到97.94%、96.5%和90.73%的高准确率，展现了优异的神经形态计算能力。该研究为开发下一代低功耗、高集成度的感存算一体芯片提供了新的设计思路与技术路径。

论文链接：

https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.5c04297